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TOSHIBA

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型號
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封裝
產品描述

1

TPWR8503NL,L1Q是Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET

DSOP-8-EP-5.0mm

TOSHIBA(東芝)

Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET專門設計用于筆記本電腦適配器、游戲機、服務器、臺式電腦、平板顯示器等的AC-DC電源的二次側,另外還用于通信…

2

SSM3J56ACT

TOSHIBA(東芝)

SOT-883-3

TOSHIBA(東芝)-SSM3J56ACT1.應用高速交換機2。特點(1) 1.2 V驅動器(2)低漏極電阻:RDS(接通)=390 mΩ(最大)(@VGS=-4.5V)RDS(接通)=480 m…

3

SSM3J378R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J378R1.應用程序(1)電源管理交換機2.特性(1) AEC-Q101合格(請參閱可訂購零件號表)(2)1.5V柵極驅動電壓。(3)低漏源電阻:R…

4

SSM3J377R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J377R1.應用程序電源管理交換機2.特性(1) AEC-Q101合格(請參閱可訂購零件號清單)(2)1.5V柵極驅動電壓。(3)低漏源電阻:RDS(…

5

SSM3J375F

TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J375F1.應用程序電源管理交換機2。特性(1) AEC-Q101合格(請參閱可訂購零件號清單)(2)1.5V驅動(3)低漏源電阻:RDS(ON)= 31…

6

SSM3J374R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J374R1.應用程序電源管理交換機2.特性(1) AEC-Q101合格(請參見可訂購零件號表)(2)4.0-V柵極驅動電壓。(3)低漏源電阻RDS(ON…

7

SSM3J372R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J372R1.應用程序電源管理交換機2。特性(1) AEC-Q101合格(請參閱可訂購零件號清單)(2)1.8V柵極驅動電壓。(3)低漏源電阻RDS(…

8

SSM3J371R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J371R1.應用程序電源管理交換機2。特性(1) AEC-Q101合格(請參閱可訂購零件號清單)(2)1.5V柵極驅動電壓。(3)低漏源電阻:RD…

9

XPHR7904PS,L1XHQ(O是Toshiba UMOS9-H硅N溝道MOSFET

TOSHIBA(東芝)

0.108g 2-5W1A(SOP高級(N))

Toshiba UMOS9-H硅N溝道MOSFET非常適用于高效直流-直流轉換器、開關穩壓器和 電機驅動器。這些MOSFET具有小柵極電荷、小輸出電荷、低漏源導通電阻…

10

SSM3J36TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36TU1.應用○電源管理開關2.特性○1.5-V驅動器○低接通電阻:Ron=3.60Ω(最大)(@VGS=-1.5V)Ron=2.70Ω(最大)(@VGS=-1…

11

SSM3J36FS

TOSHIBA(東芝)

SC-75

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應用○電源管理開關2.特性○1.5-V驅動器○低接通電阻:Ron=3.60Ω(最大)(@VGS=-1.5V)Ron=2.70Ω(最大)(@VGS=-1…

12

SSM3J36FS

TOSHIBA(東芝)

SC-75

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應用○電源管理開關2.特性○1.5-V驅動器○低接通-電阻:Ron=3.60Ω(最大)(@VGS=-1.5V)Ron=2.70Ω(最大)(@VGS=-…

13

XPN12006NC,L1XHQ是Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET

TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101標準,采用緊湊的薄型TSON封裝。XPN12006NC具有低漏極-源極導通電阻、低漏電流和增強模式…

14

SSM3J35MFV

TOSHIBA(東芝)

SOT-723

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35MFV1.應用○高速開關應用○模擬開關應用2.特性○1.2 V驅動○低電阻:Ron=44Ω(最大)(@VGS=-1.2V)Ron=22Ω(最大)(@VG…

15

SSM3J35CTC

TOSHIBA(東芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CTC1.應用程序模擬開關2.特點(1) 1.2 V驅動(2)低漏極電阻:RDS(ON)=3.2Ω(類型)(@VGS=-1.2V)RDS(ON)=2.3Ω(類型)…

16

TK19A50W,S5X是東芝DT MOS IV系列MOSFET

TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝,與上一代 DTMOSIII 相比,RDS(on) 降低了 30%,這是 MOSFET 的性能指標。RDS(on) 的降低使得將…

17

TK19A45D是東芝π-MOS VII MOSFETs

TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅動,單N溝道器件,將π-MOS技術與平面工藝相結合,以提供多種電壓和RDS(ON)額定值。這些高壓MOSFET的漏極-源…

18

SSM3J35CT

TOSHIBA(東芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CT1.應用○高速開關應用○模擬開關應用2.特性○1.2V驅動○低電阻:Ron=44Ω(最大)(@VGS=-1.2V)Ron=22Ω(最大)(@VGS…

19

SSM3J35AMFV

TOSHIBA(東芝)

SOT-723

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AMFV1.應用程序模擬開關2.特點(1) 1.2 V驅動(2)低漏極電阻:RDS(ON)=3.2Ω(類型)(@VGS=-1.2V)RDS(ON)=2.3Ω(類型…

20

SSM3J35AFS

TOSHIBA(東芝)

SC-75(SOT-416)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AFS1.應用程序模擬開關2。特點(1) 1.2 V驅動(2)低漏極電阻:RDS(ON)=3.2Ω(類型)(@VGS=-1.2V)RDS(ON)=2.3Ω(類型…

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