TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AMFV

1.SSM3J35AMFV應(yīng)用程序

模擬開關(guān)

2.SSM3J35AMFV特點

(1) 1.2 V驅(qū)動
(2)低漏極電阻：
RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）
RDS（ON）=2.3Ω（類型）（@VGS=-1.5V
RDS（ON）=2.0Ω（典型版）（@VGS=-1.8V）
RDS（ON）=1.5Ω（類型）（@VGS=-2.5V）
RDS（ON）=1.1Ω（類型）(@VGS = -4.5 V)

3.SSM3J35AMFV絕對最大額定值（注）（除非另有規(guī)定，Ta = 25）

注：在重負(fù)荷下連續(xù)使用（如應(yīng)用高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）即使有運(yùn)行條件（即運(yùn)行溫度/電流/電壓等），也可能導(dǎo)致該產(chǎn)品的可靠性顯著降低。在絕對最大評級范圍內(nèi)。請在審查東芝半導(dǎo)體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降低概念和方法”）和個別可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）后，設(shè)計適當(dāng)?shù)目煽啃浴Ｗ?：確保通道溫度不超過150?。注2：安裝在FR4板上（25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm，銅墊0.585 mm2）注3：安裝在FR4板上（25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm，銅墊645 mm2）

注：該晶體管對靜電放電很敏感，應(yīng)小心處理。注：本裝置中的mosfet對靜電放電很敏感。在操作該設(shè)備時，應(yīng)保護(hù)工作臺、操作人員、焊鐵等物體的防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻Rth（ch-a）和排水功耗PD根據(jù)板材料、板面積、板厚度和墊面積而不同。在使用此設(shè)備時，一定要充分考慮散熱因素。

4.SSM3J35AMFV靜電放電試驗（Ta=25）

注：根據(jù)JEITA ED-4701標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了靜電放電試驗，并確認(rèn)了上述結(jié)果。

5.SSM3J35AMFV靜態(tài)特性（除非另有規(guī)定，Ta = 25）

注1：如果在柵極和源之間施加反向偏置，該設(shè)備將進(jìn)入V（BR）DSX模式。請注意，在此模式下，排水管擊穿電壓降低。注2：設(shè)V為柵極和源極之間施加的電壓，導(dǎo)致漏極電流（ID）低于（該設(shè)備為-100μA）。然后，對于正常的切換操作，VGS（ON）必須高于Vth，并且VGS（OFF）必須低于Vth。這種關(guān)系可以表示為： VGS（OFF）< Vth < VGS（ON）。在使用該設(shè)備時要考慮到這一點。注3：脈沖測量。