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TPWR8503NL,L1Q是Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET

TPWR8503NL,L1Q是Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET

作者：網站管理員    發布時間：2024-09-28    瀏覽次數：

Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET專門設計用于筆記本電腦適配器、游戲機、服務器、臺式電腦、平板顯示器等的AC-DC電源的二次側，另外還

用于通信設備、服務器和數據中心的DC-DC電源。Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET采用最新的第8代溝槽MOS工藝制造，有助于提高電源效率。

其他特性包括低漏極-源極導通電阻、低漏電流和高耐雪崩性。該系列還包括采用小型封裝的汽車級MOSFET。

特性

  • 低漏極-源極導通電阻
  • 低漏電流
  • 增強模式： Vth = 2.0V至4.0V時
  • 采用專為各種電源應用設計的第8代溝槽MOS工藝制造
  • 具有高耐雪崩性
  • 與典型的第4代溝槽MOS工藝相比，導通電阻 (RON) 和輸入電容 (CISS) 之間實現了更好的折衷效果
  • 與前代產品相比，可降低輻射噪聲

應用

  • 開關穩壓器
  • 電機驅動器
  • DC-DC轉換器

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