1
SSM3J36FS
TOSHIBA(東芝)
SC-75
TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-1…
2
SSM3J36FS
TOSHIBA(東芝)
SC-75
TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通-電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-…
4
SSM3J35MFV
TOSHIBA(東芝)
SOT-723
TOSHIBA(東芝)-SSM3J35MFV1.應(yīng)用○高速開關(guān)應(yīng)用○模擬開關(guān)應(yīng)用2.特性○1.2 V驅(qū)動○低電阻：Ron=44Ω（最大）(@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VG…
5
SSM3J35CTC
TOSHIBA(東芝)
SC-101(SOT-883)
TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CTC1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2.特點(diǎn)(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型）…
6
TK19A50W,S5X是東芝DT MOS IV系列MOSFET
TOSHIBA(東芝)
TO-220SIS
東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…
7
TK19A45D是東芝π-MOS VII MOSFETs
TOSHIBA(東芝)
TO-220SIS
東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅(qū)動，單N溝道器件，將π-MOS技術(shù)與平面工藝相結(jié)合，以提供多種電壓和RDS（ON）額定值。這些高壓MOSFET的漏極-源…
8
SSM3J35CT
TOSHIBA(東芝)
SC-101(SOT-883)
TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CT1.應(yīng)用○高速開關(guān)應(yīng)用○模擬開關(guān)應(yīng)用2.特性○1.2V驅(qū)動○低電阻：Ron=44Ω（最大）（@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VGS…
9
SSM3J35AMFV
TOSHIBA(東芝)
SOT-723
TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AMFV1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2.特點(diǎn)(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型…
10
SSM3J35AFS
TOSHIBA(東芝)
SC-75(SOT-416)
TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AFS1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2。特點(diǎn)(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型…
12
TK17E80W,S1X東芝DT MOS IV系列MOSFET
TOSHIBA(東芝)
TO-220
東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…
13
TK16V60W5 MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS）
TOSHIBA(東芝)
DFN-4-EP(8x8)
Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設(shè)計，有各種型號可供選擇。Si N溝道MOSFET具有低漏源導(dǎo)通電阻和快速反向恢復(fù)能力…
14
TK17V65W,LQ是東芝DT MOS IV系列MOSFET
TOSHIBA(東芝)
DFN-4-EP(8x8)
東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…
15
SSM3J358R
TOSHIBA(東芝)
SOT-23F
TOSHIBA(東芝)-SSM3J358R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開關(guān)2.特性 （1) 1.8 V 驅(qū)動 （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8…
16
SSM3J356R
TOSHIBA(東芝)
SOT-23F
TOSHIBA(東芝)-SSM3J356R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開關(guān) 2.特性 （1）4 V 柵極驅(qū)動電壓。 （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ： RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@V…
17
SSM3J355R
TOSHIBA(東芝)
SOT-23F
TOSHIBA(東芝)-SSM3J355R1. 應(yīng)用? 電源管理開關(guān)2.特性 （1）1.8 V 驅(qū)動 （2) 低漏源導(dǎo)通電阻 ： RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 …
18
SSM3J353F
TOSHIBA(東芝)
TO-236-3(SOT-23-3)
TOSHIBA(東芝)-SSM3J353F1. 應(yīng)用? 電源管理開關(guān)2.特性 （1） 4.0 V 柵極驅(qū)動電壓。（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 274 mΩ（最大值） （@VG…
19
SSM3J352F
TOSHIBA(東芝)
TO-236-3(SOT-23-3)
TOSHIBA(東芝)-SSM3J352F1. 應(yīng)用 ? 電源管理開關(guān)2.特性 （1)1.8 V 柵極驅(qū)動電壓（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 443 mΩ （最大值） （@VGS …
20
SSM3J351R
TOSHIBA(東芝)
SOT-23F
TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R1. 應(yīng)用? 電源管理開關(guān) 2.特性 （1） 4 V 驅(qū)動 （2） 低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）…
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