芯控源AGM405Q詳情:    1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 40V，連續(xù)漏極電流(Id):55A，功率(Pd):45W

●產(chǎn)品概述

  AGM405Q是高電池密度溝槽式N ch MOSFET，它為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的RDSON和柵極電荷。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

    100% EAS 保證 ? 提供綠色器件 ? 超低柵極電荷 ? 優(yōu)異的 CdV/dt 效應(yīng)下降 ? 先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)

mos管選型

選擇合適的MOS管需要考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)和因素，以確保其性能滿足特定應(yīng)用的需求。以下是一些重要的參數(shù)和步驟，用于指導(dǎo)MOS管的選型：¹²

1. 額定電壓（Vds）：確保MOS管的額定電壓高于工作電壓，以提供足夠的安全余量。對(duì)于感性負(fù)載或高開關(guān)頻率的應(yīng)用，需要考慮更大的耐壓余量。

2. 額定電流（Id）：也稱為連續(xù)漏極電流，是指MOS管在正常工作條件下能夠承受的最大電流。應(yīng)確保其額定電流高于預(yù)期的工作電流，以避免過載損壞。

3. 導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：較低的導(dǎo)通電阻可以減少功率損耗和發(fā)熱，提高系統(tǒng)的效率。應(yīng)根據(jù)散熱條件和功率損耗要求來選擇合適的導(dǎo)通電阻。

4. 柵極到源極閾值電壓（Vgs(th)）：是指使MOS管從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的最小柵源電壓。應(yīng)確保柵極電壓高于閾值電壓，以保證MOS管能夠可靠地導(dǎo)通。

5. 封裝類型：封裝類型影響MOS管的安裝、散熱和電氣性能。應(yīng)根據(jù)PCB的尺寸和內(nèi)部高度限制，選擇適合的封裝類型。

6. 脈沖漏極電流（ID脈沖）：在系統(tǒng)啟動(dòng)期間可能會(huì)有很高的浪涌電流，只要不超過規(guī)定值，MOS管就不會(huì)有問題。

7. 功耗：MOS管的Datasheet將提供額定功率耗散或者功率耗散能力。功耗是結(jié)溫、實(shí)際工作溫度和熱阻的函數(shù)。

8. 工作和儲(chǔ)存溫度：指定MOS管在運(yùn)行時(shí)安全運(yùn)行的溫度范圍。存儲(chǔ)溫度也指定了相同的范圍，超出這個(gè)限制運(yùn)行會(huì)損壞MOS管。

9. 熱特性：熱阻用于計(jì)算MOS管在工作溫度下相應(yīng)的額定功率耗散。

選擇功率MOS管的步驟包括：

· 找出應(yīng)用的所有參數(shù)，例如最大電壓、最大電流和工作溫度。

· 找出電路的總負(fù)載。

· 計(jì)算MOSFET所需的峰值電流和峰值負(fù)載。

· 找出系統(tǒng)的效率。

· 計(jì)算有損耗的負(fù)載。

· 增加安全系數(shù)（視操作溫度而定）。

· 檢查設(shè)備是否將作為雙向設(shè)備運(yùn)行。

通過綜合考慮這些參數(shù)和步驟，可以選出最適合特定應(yīng)用的MOS管。