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首頁 - 分立半導體 -

RZM002P02T2L

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作者：網站管理員    發布時間：2022-05-05    瀏覽次數：

產品屬性
類型 描述
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態 在售
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 1.2 歐姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 1V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 115 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 VMT3
封裝/外殼 SOT-723
基本產品編號 RZM002

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